临界电流密度一万安培的超异厚膜

【日本《日刊工业新闻》９月２２日报道】题：铋系超导厚膜的临界电流密度达到１万安培
三井金属矿业公司和科学技术厅金属材料技术研究所２１日宣布研制成的铋系氧化物超导厚膜的临界电流密度平均１平方厘米为１０７００安培，达到世界最高纪录。
该研究小组参加了官民特定共同研究项目，已经制成临界电流密度２０００安培的钇系薄膜和３０００安培的铋系薄膜，但是制成１万安培的厚膜是首次。
临界电流密度达到１万安培，意味着这种超导材料有实用价值，三井金属矿业公司决定正式进行制作弱磁场用屏蔽材料的实用研究，如果成功，就可成为首创的氧化物超导材料商品。
这次开发的铋系氧化物超导膜，成分是铋（１．８），铅（０．４）、锶（２），钙（２），铜（３）和氧，这些成分放在厚０．１毫米的衬底银条带上，进行８３０℃（７２小时）、８４５℃（９６小时）和８５０℃（２４小时）这三阶段的热处理，在热处理之间进行二次压缩加工而制成。
这种厚膜的厚度为５—１０微米，在１０５Ｋ的电阻值为零。