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日研制一百兆位芯片取得突破

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1989-02-21 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

日研制一百兆位芯片取得突破 【美联社东京2月8日电】日本电电公社说,一项4年研究计划已结出果实,用小型机器可产生一束强有力的光,可能用这种光制造具有巨大'...

日研制一百兆位芯片取得突破


【美联社东京2月8日电】日本电电公社说,一项4年研究计划已结出果实,用小型机器可产生一束强有力的光,可能用这种光制造具有巨大存储容量的计算机微芯片。
日本电电公社是日本一家巨大的电信公司,它说这一研究成果在世界上是首次,将为蚀刻超细微电路铺平道路,可用于制造具有100兆位以上存储容量的芯片。
日本电电公社说,它已实现了研究目标,从一个储存环中得到一种光,叫作同步加速器轨道辐射线(SOR)。这种储存环装有超导磁体,以集中一束已加速到接近于光速的电子流。
日本电电公社在一份声明中说,这个储存坏的尺寸是2.5米×8米。这家公司说,用于产生电子流的直线加速器是1.7米长。分析家们说,用这种“桌面大小的”机器所取得的成功将是在大量生产具有巨大存储容量的半导体方面取得的突破。这家公司说,它将继续研究改进这项技术,并研制生产超大规模集成电路(ULSI)所需的辅助设备。这些超大规模集成电路具有100兆位以上的存储容量。
日本电电公社说,它的同步加速器轨道辐射光“包含范围很广的一些连续波长,从软X射线到可见光,作为超大规模集成电路制造的强有力光源而引起人们的注意”。
美国的计算机巨人国际商用机器公司也研究一种类似的工艺。它在去年7月说,它最终将能制造出64兆位存储芯片。但是,美国的一些分析家说,日本一些公司在制造所需的昂贵的同步加速器方面似乎已取得领先地位。

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