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高密度存储器十倍于硅

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 2002-09-13 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

高密度存储器十倍于硅 【德新社旧金山9月10日电】惠普公司今天说,由于分子电子学取得突破,该公司的科学家研制出一种计算机存储电路,其功能将比现在的硅'...

高密度存储器十倍于硅


【德新社旧金山9月10日电】惠普公司今天说,由于分子电子学取得突破,该公司的科学家研制出一种计算机存储电路,其功能将比现在的硅片增强10倍。
惠普公司说,这项新技术比现在的芯片速度更快,制造成本更低,并将进一步推动电子元件的微型化趋势。
惠普实验室量子科学研究负责人斯坦利·威廉斯说:“我们相信分子电子将推动未来计算机技术的发展,使它远远超出硅的限制。”
威廉斯说,这种新的高密度存储器仅有1平方微米大小,它非常小,1000个电路也只有人的一根头发粗细。计算机的存储信息都记录在一个有机合成分子上,即使断电也可保存信息,这使它可能取代如今数码相机和移动电话等装置使用的快闪存储卡。但威廉斯说,这项技术尚处于初创阶段,至少还需5年时间才能投放市场。

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