半导体品片微波退火新工艺

【共同社东京十二月二十七日电】富士通股份有限公司今天说，它发明了一种半导体晶片微波退火新工艺，这种工艺将使产量增加，有可能制成更大的超大规模集成电路。
试验证明，退火晶片只需要在六百摄氏度条件下加热三四分钟。由于富士通公司的新方法减少了造成翘曲的可能性，减少了退火所需的时间，所以有可能因为每次加工的半导体的数量增大而使产量大大增加，从而能降低生产成本。然而，这种低温退火方法给人们带来的最大希望是能提高集成电路的集成度。