日索尼公司试制成超晶格晶体管

【《日本经济新闻》六月二十八日报道】索尼公司用交互叠置砷化镓系列化合物半导体的极薄膜，试制成功具有放大电流这一基本性能的超晶格晶体管。超晶格元件能够高速工作，其工作速度比硅元件高一百倍以上。各发达国家正在竞相进行开发。超薄膜的晶体生长和层叠化技术的开发是超晶格元件实用化的关键。索尼公司试制出超晶格晶体管，找到了层叠化的线索，首次制成了起电子元件作用的超晶格元件。
超晶格元件是在分子水平上控制并用交互层叠两种不同的半导体薄膜而制成的元件。索尼公司制作的超晶格晶体管，是交互叠置砷化镓和铝—镓—砷的薄膜制成的。薄膜的厚度是二百到三千埃（一埃相当于一千万分之一毫米），最薄层只有一百个分子叠起来那么厚。
在形成薄膜和层叠时，采用了有机金属化学气相淀积法（ＭＯＣＶＤ）。