制造优质单晶砷化镓的新技术

【日本《朝日新闻》六月二十一日报道】日本电气公司最近发明了制造优质单晶砷化惊的新技术。砷化镓作为下一代的半导体已受到重视，适合超高速电子计算机使用。但是一般很难得到优质的单晶，在制造集成电路时它成了一个障碍。日本电气公司认为，这次研究成功的新技术，将会大大提高单晶的质量，并为批量生产半导体砷化镓开辟了一条新途径。
所谓单晶是指在高温状态下，给熔化为液状的砷化镓加进籽晶，然后将籽晶慢慢拉长，一边冷却一边让砷化镓凝固。这个时候，最容易产生被称为“转位”的晶格紊乱现象，所以要加金属铟抑制转位。
日本电气公司在让单晶生长时，改进了冷却工序，试制了铟的浓度低一位数，直径为二英寸的砷化镓电路极。用Ｘ射线详细分析这个电路板后发现，晶体的缺陷和过去的相比减少十分之一到百分之一。