日研制成新型氮化铝陶瓷

【《日本经济新闻》六月十一日报道】日本电气公司开发成功“新型氮化铝陶瓷”。这种“新型氮化铝陶瓷”同经常用作半导体的封装基底材料的氧化铝陶瓷相比，前者的导热性提高了九倍。导热性越高，配置在基底上的超大规模集成电路和独立的半导体元件放出的热量就越容易散发。利用这种新型陶瓷作为基底，在基底上就能配置为数更多的超大规模集成电路和独立的大功率的半导体元件。
新型氮化铝陶瓷的制作方法是：把高纯度氮化铝粉末同还原剂混合在一起，在减少微粒中的氧的同时，高温加压烧结。日本电气公司用这种新型氮化铝陶瓷制成圆盘形基底，拿它同现在使用的氧化铝基底和氧化铍基底等在导热性和热膨胀系数等方面作了比较，发现新型氮化铝陶瓷基底的导热性相当于氧化铝陶瓷基底的十倍。它与氧化铍基底的导热性相同，但导热性不会随着温度的上升而减弱。这种新型氮化铝陶瓷的热膨胀系数与经常用作半导体材料的硅相同，而且，在利用这种新型氮化铝陶瓷制作的基底上可直接配置超大规模集成电路的芯片。