绝缘膜衬底硅片结构的大规模集成电路

【《日本经济新闻》三月三十日报道】三菱电机公司二十九日宣布，它利用激光照射再结晶技术在世界上首次成功地试制出绝缘膜衬底硅片结构的大规模集成电路。
试制成功的大规楔集成电路是集成了七千五百二十四个晶体管的一千一百门的门阵列。利用这种技术制作的门阵列，过去最高的是一百门。三菱电机公司把集成度提高了约十倍。
现在制作集成电路的方法是直接在硅片上制造半导体元件，而绝缘膜衬底硅片结构的集成电路则是在硅片同元件之间设置一层由氧化物等形成的绝缘膜。因此，元件之间的相互干扰减少了，尽管集成度增高，但发生故障的危险性减少了。另外，元件的工作速度也加快。
三菱电机公司采用的是激光照射再结晶技术：用氩离子激光器照射绝缘膜上的多晶硅片，使之形成单晶，然后再制作半导体元件。由于已确立了新的激光技术和能在短时间内用高温进行热处理的退火技术，试制获得了成功。