台湾研制成功超大型集成电路

【台湾《中国时报》四月十九日报道】工业院电子所与台湾湾华智公司十八日正式宣布，以一点五微米互补式金氧半导体（ＣＭＯＳ）制程技术，成功地完成２５６ＫＣＭＯＳＤＲＡＭ（金属半导体动态随机存取记忆器）的开发，使我国高科技技术正式进入超大型集成电路的领域，同时也使我国成为全世界第三个具有供应此一超大型集成电路尖端电子产品的国家。