硅化钼光掩模

【共同社东京一月三十一日电】日本三菱电气公司今天说，该公司已研制出一种硅化铝光掩模。这种光掩模适合制造超大型集成电路块，如一千至四千Ｋ动态随
机存取存储器芯片。
该公司的一位发言人说，新光掩模不同于其他光掩模之处是，新光掩模是用硅化铝制成的，而其他光掩模是用铬制成的。
他说，用铬制成的常规光掩模不适合制造二五六Ｋ以上的动态随机存取存储器芯片。
他说，新光掩模具有精确度高误差率低的特点，最适合制造一千至四千Ｋ动态随机存取存储器芯片。