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苏用砷化镓制成新半导体材料

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1985-02-01 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

苏用砷化镓制成新半导体材料 【塔斯社列宁格勒十二月二十八日电】用苏联学者研制的新半导体制造的电子仪器能在从零上二百五十度到零下一百七十三度的'...

苏用砷化镓制成新半导体材料


【塔斯社列宁格勒十二月二十八日电】用苏联学者研制的新半导体制造的电子仪器能在从零上二百五十度到零下一百七十三度的广阔温度范围内工作。这些半导体的特点还在于能够通过大密度电流,而且几乎刹那间就能把电流“接通”。这点对于在超高压输电干线上把直流电变为交流电和把交流电变为直流电来说特别重要。
物理技术研究室主任阿尔费罗夫院士说,新材料是在砷化镓的基础上制成的。它在一系列指标上超过传统的硅片。至今砷化镓只用在弱电流的仪器里。生长砷化镓大晶体工艺上的困难使事情复杂化。但列宁格勒的物理学家们成功地解决了这个问题。他们研制成特殊的石英容器(代替普通石墨的),新的半导体在这种容器内“成长”。
阿尔费罗夫指出,在用砷化镓制造的电子仪器元件的特殊优点当中有一条是它们能在光的作用下刹那间就改变自己的工作特性。这为制造不需要复杂的机械装置而用光束控制的高压开关开辟了可能性。

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