非晶碳化硅高效率光电池

【日本《日刊工业新闻》九月十九日报道】新技术开发事业团十八日宣布，委托钟渊化学工业公司进行的用非晶碳化硅制作高效率光电池（民用）使之实用化的研制已经成功。
新技术开发事业团这次研制成的非晶碳化硅是根据大阪大学教授滨川圭弘的研究成果，重要的一点是在构成光电池的Ｐ．Ｉ．Ｎ型半导体层中的Ｐ型半导体层采用非晶碳化硅。非晶碳化硅比非晶硅的透光性好，特征是能够高效率地把光吸收到电池内部。因此，光能的损耗大幅度减少，发生的电流增加。
这次研制时，制作了两种光电池，一种是用玻璃片作衬底，另一种是用薄不锈钢片作衬底。结果，玻璃片作衬底的光电池，用于萤光灯，光电转换效率达百分之十一·六，比过去的非晶硅光电池光电转换效率百分之六·一提高了近一倍。
另外，用不锈钢片作衬底的光电池是厚度○·一毫米的超薄型。光电转换效率达百分之九·三，这个试制品作为厚○·八毫米的薄片式电子计算器的电源使用。