大功率半导体激光器

【日本《读卖新闻》五月二十九日报道】日立制作所研制成功大功率半导体激光器，光信息处理将进入第二代。
日立制作所二十八日宣布，该所使用超微米半导体尖端技术“超晶格结构”，研制出“红色大功率超晶格半导体激光器”。半导体激光器作为代替电子时代的光时代超小型光信号发生源正在迅速普及，但现行的技术有一个致命的缺点，就是大功率化困难。日立这次研制成功的大功率半导体激光器打破了这一难关，制造出“第二代”半导体激光器，这点是值得评价的。
这个新的半导体激光器是采用把有机金属进行热分解后真空镀膜的方法，把高质量的化合物半导体（镓·铝·砷）制成厚度为千分之几微米的超薄膜，就象胶合板那样，形成几层重叠在一起的超晶格结构。可以说，过去的半导体激光器的结构则类似于“一块板”。
在半导体激光器的内部，把电子集聚后引起激光发光的地方叫作“电子井”，而这口‘‘井”的层都集中在每个半导体层的边界上。由于超晶体结构的“胶合板”的边界远远多于“一块板”，这样就能提高激光的发光效率。这次研制的超晶格半导体激光器发出波长○点七八微米红色激光。功率可达五十毫瓦。日立公司研究班子说，今后经过改良，功率可提高到一百毫瓦，这样一来，第一代半导体激光器的弱点就彻底得到了克服。