日研制六十四千位静态随机存取存储器

【日本《情报产业新闻》三月十二日报道】“日本电气”公司最近研制成功存取时间为二千五百万分之一秒（四十毫微秒）的世界最高速的六十四千位静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）“ＵＰＤ４３６１Ｋ—４０”机。
现在，半导体存储器的核心是六十四千位动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ），各个半导体制造公司都在加紧增加产量，预料，“日电”和“日立”两大公司在今年内，其月产量将达到一千万个。
动态随机存取存储器的缺点是，即使插上电源，但如果不是每隔一定周期作激励动作，那末，已存储的数据就会完全消失。相反，静态随机存取存储器就不需要作这种动作，因而，使用它方便得多。它存储单元里的元件数目就比动态随机存取存储器多。因它的结构较复杂，所以，对它的研制工作也较慢。
以“东芝”和“日立”两大公司为中心，正在大批生产的六十四千位静态随机存取存储器是在一块芯片上大约集成了四十万个电路元件组成的，它的存取时间大多数都是在五百
——一千万分之一秒，即在一百——二百毫微秒。
然而，在大型电子计算机或超高速电子计算机方面，需要有作为高速缓冲存储器及控制存储器的超高速静态随机存取存储器。为此，“日立”公司就发表了研制成功存取时间为五十五毫微秒的静态随机存取存储器，并计划于今年四月份出售产品。
此后不久，“日电”公司也发表了研制成功存取时间是四十毫微秒的更快的六十四千位静态随机存取存储器”，并且也计划于今年６月份出售产品。进而各个半导体公司对静态随机存取存储器的研制竞争越来越激烈。