苏微电子技术比美落后九年

【美国《商业日报》８月２５日文章】五角大楼的一位高级官员说，苏联在制造用于武器和计算机的微型硅集成电路块的能力方面比美国落后多达９年。
美国国防部副部长史蒂夫·布赖恩对记者说，电子技术方面的差距在１９８０年前仅用一年半的时间就拉开了。这是因为西方专家实行了严格的出口控制，而苏联的制造业则处于停滞阶段。
布赖恩在有人要求他叙述一下苏联微电子技术的落后状况时说“我认为，准确地说他们在技术方面落后七至九年。我们有了进步，而他们没有。”
布赖恩说，苏联生产的武器很好，因为他们十分仔细，而且在这方面花很多钱。他说：“但他们较难大规模使用集成电路块，因为制造业基础不景气。”