日研制成铅、锡、碲化合物半导体的单晶体

【日本《读卖新闻》六月十五日报道】宇宙开发事业团和理化学研究所十四日宣布，他们在世界上首次制造成功铅、锡、碲化合物半导体的优质单晶体。这种单晶体在今年一月二十七日发射的小型火箭“ＴＴ—５００Ａ”十二号上，进行的失重情况下宇宙材料实验中，被用来作为高性能红外线探测元件。
由铅、锡、碲三种元素组成的化合物半导体在远红外波段具有良好的光电转换功能，它可以作为人造卫星使用的高性能红外线摄象机的元件，又可以用于监测大气污染和各种传感器，还能够作为固体激光器振荡元件在光通信系统上加以利用。
可是，这三种元素的比重有很大不同，所以，在有重力的地面上，即使把它们熔化，彼此也会完全分离，得到有用的大型单晶体是不可能的。
以前人们曾设想，如果在宇宙里的失重情况下，由于没有重量，所以元素能够均质地混合在一起，在形成晶体时也不会产生热对流，这样就能够得到优质的大型单晶体。而经过这次实验，这一想法得到了证实。
实验中采用的方法是，让铅、碲化合物的衬底晶体在火箭六分钟的失重飞行中熔化，使铅、锌、碲原料溶液接触，这样便成功地制造了厚百分之一毫米、边长为四毫米的正方形单晶体。
在该火箭的实验中，同时制造硅、砷、碲的非晶态半导体的第二次实验也获得了成功。宇宙开发事业团在取得这些小型火箭实验成果的基础上，对一九八七年实施的、利用航天飞机的第一次材料实验充满了信心。