日本日立研究所发现：碳化硅陶瓷具有制超大规模集成电路衬底的特性

【日本《产经新闻》十月四日报道】题：日立研究所发现突破超大规模集成电路技术的障碍的新材料
日立研究所发现了作为大容量的超大规模集成电路的材料，飞跃提高电子计算机功能的新材料。浦满研究员代表发现这一新材料的日立研究所四日在新潟大学召开的日本化学会会议上首次发表这项成果，但已经受到国外高度评价，认为它是突破现在超大规模集成电路技术的障碍的“材料革命”，将给日美之间的电子计算机技术研制竞争带来新的影响。
这种新材料就是“碳化硅陶瓷”。它是研究耐热节能型发动机的日立研究所去年研制的，最近发现了它能够作为集成电路衬底的特性。进一步研究结果发现了它具备过去元件没有的绝缘性、导热性和热膨胀性。
过去作为超大规模集成电路衬底材料使用的铝，绝缘性基本和碳化硅陶瓷相同，但导热性低，热膨胀率高，排热功能低，和电路上使用的半导体硅的膨胀率产生巨大的差，所以，在电子计算机的大规模化中，耐热方面受到限制。
碳化硅陶瓷导热率是铝的十四倍，而且，热膨胀率和半导体硅基本相同。它能防止热逃逸和因膨胀率的差引起的和硅剥离，这一特性突破铝的界限，受到高度评价。
耐热的超大规模集成电路衬底的研制，就是在美国商用机器公司间谍事件中也被认为是情报战的一个焦点。由于越过这层“热的壁垒”可以期待一秒里能够进行五亿次计算的超级电子计算机进一步高集成化，机械小型化和飞跃提高运算速度。碳化硅陶瓷的制造，是在碳化硅粉末里加入少量的铍烧结而成的。因为碳化硅和铍都是非常坚固的物质，所以，碳化硅陶瓷本身也很坚固，加工很难。此外还有一个缺点，就是由于使用了高价的铍，所以成本很高。但是，在专家里也有人认为，这种缺点“五年以内就能克服”，有希望工业生产。
东京大学工学部教授柳田博明说：“发现了陶瓷发动机材料具有能够用来作超大规模集成电路衬底的特性，其意义是很大的。加工难和成本高这一缺点五年左右可以得到解决。在材料研究方面落后的日本是首次的独创性的发现，是一场‘材料革命’。”
在向美国的学者通报的时候，得到了高度评价。在集成电路衬底研究方面，日本刚刚采用氮化硅，但却改变了视野，发现了碳化硅陶瓷的特性。对今后的研究，也是转换设想的很好一个例子。