耐高温半导体

【日本《日经产业新闻》五月二十日报道】通产省工业技术院电子技术综合研究所在改善在高温中工作的半导体的特性方面获得成功，使这种半导体进一步接近实用。
电子技术综合研究所去年试制耐热性碳化硅半导体成功，但是在达到四百摄氏度时仍有漏电问题。该所设法使不纯物扩散，还改进了热处理法’使半导体在四百摄氏度下也能照常工作。
如果能够制成高温半导体集成电路，就可在汽车的发动机间内配置电子装置。