日本研制成功耐放射线半导体

【日本《日刊工业新闻》１月６日报道】日本原子能研究所材料开发部的
研究小组以碳化硅为材料，研制成功一种叫做“ＭＯＳ型硅”的半导体，它的
耐放射线强度为硅的６００─７００倍。因为碳化硅耐高温和放射线，而且散
热效果是硅的３倍，电子速度是硅的两倍，所以被视为实现大容量和高速度的
材料。

研究小组采用在高温下注入离子，把Ｐ型碳化硅的部分结构改换为Ｎ型碳
化硅的技术，解决了此前未能克服的困难。这种新半导体在宇宙和原子能开发
等高放射线环境下也可以使用。