台湾建成「化学气相堆积系统」

【本刊讯】台湾《青年战士报》一九七八年十二月八日报道：
此间国立交通大学——半导体研究中心，已研究建立成功一项国内首座“化学气相堆积系统”，研制出高品质化学气的相堆积单晶矽膜、氮化矽膜、复晶矽膜、氧化矽膜，使我国的高级精密半导体电子新技术，又向前迈进了一大步。
该整个“化学气相堆积系统”，包括七大部门：①化学气相堆积反应器，②高功率射频产生器，③高纯度氢氧产生器，④剧毒及易燃性气体处理系统，⑤液态氮蒸发供应系统，⑥循环及冷却用水系统，⑦废气处理系统等。
据该研究中心人员指出，“化学气相堆积”技术，系利用高功率射频产生器所产生的射频波，加热反应器石英管内石墨平台，而至高温，再通入压力及流量精确控制的反应气体，使反应生成物堆积在石墨平台上的预置晶片。该中心目前已能生产特性优良、厚度控制精确的氮化矽膜、复晶矽膜、氧化矽膜及单晶矽膜。
在行政院国科会国家大型电子计划下，耗资一千二百万经费补助国立交通大学——半导体研究中心，目前已订好完整的发展计划，将利用“化学气相堆积技术”，研究发展一系列性能优越的元件及电路，其中包括：蓝宝石上的矽膜元件、新型高效率太阳电池、红外线侦测元件、发光三极气体氮化矽罩幕、矽闸金氧半电晶体中大型积体电路、金属——氮化矽金氧半记忆器等，使“化学气相堆积”这项应用极广的高级精密半导体电子新技术，在国内茁长壮大，并使我国在半导体电子研究发展上，更创造了新契机。