日报报道：《新集成电路研制成功》

【本刊讯】日本《每日新闻》二月十五日刊登一条消息，题目是《新集成电路研制成功》，全文如下：
东北大学电气通信研究所西泽润一教授研制成功制作工艺简单并有可能达到高密度化的ＩＣ（集成电路）。该教授将在自十六日起在美国召开的固体电路国际会议上发表这一成果。
这个新ＩＣ的最大特点是：制作ＩＣ时最需要也是最重要的掩模制作工艺，三次就可以完成，代表装入电路数目的门数也有可能达到每平方厘米十万门的高密度化。西泽教授说：“这个ＩＣ今后将为实现计算机里用的ＩＣ存储器的高密度化和降低电子手表等民用ＩＣ的成本发挥作用。”
新ＩＣ是西泽教授从一九六九年起，作为利用自己研制的ＳＩＴ（静电感应晶体管）的一部分加以研究，并实现了ＩＣ化。ＳＩＴ已经实际应用，在音频机等仪器上已经使用了它。去年，借在东北大学设立第一个ＩＣ工程研究部门的机会，以实现ＳＩＴ的ＩＣ化为目标，在作了理论论证基础上，研制了新ＩＣ。
被略称为ＳＩＴＬ的新ＩＣ已经有了两种试制品。实验的结果，信号的传输速度是几十毫微秒，耗费电力为几毫瓦。拿这个数值与其他ＩＣ相比在耗费电力上，比现在在电子手表等使用的“ＣＭＯＳ”型还降低一位数。速度和“ＣＭＯＳ”大体相同，但这是现在的情况，因为在电路组成上没有全部ＳＩＴ化。据说，将来速度可能会提高。
这个新ＩＣ，从其特点来看，似乎蕴藏着这样一种可能性，即给微型计算机和电子手表等广泛使用的ＩＣ大规模集成化带来巨大冲击。