索尼开发出存储器件新材料

【日本《日经产业新闻》１０月２８日报道】索尼公司制成了可作新的存储器件材料的铋层状化合物的单晶。这种铋化合物很可能被用作新的存储器材料，特点是断电后仍保持存储信息，而且可高速动作。
制成单晶所用的材料是铋、锶、钽氧化物。在白金制的容器内把各原料粉末混合，以１４００摄氏度高温熔化，放置２小时，单晶即析出。结晶最大的仅数毫米，为方形，但是，在短时间内即可得到优质材料。
索尼公司现在正利用这些结晶制作薄片，分析其结晶构造，调查其在不同温度中的变化。目前已经确认了用这种结晶作的存储器的功能。
用铋的层状化合物制作的强电介体存储器，可比快闪存储器的信息记入速度快１０倍以上，而且记入次数多１００倍以上。日本电气公司和松下电子工业公司等也正在开发这种存储器。