日首次制成碳六十薄膜

【日本《日刊工业新闻》１月２７日报道】东北大学金属材料研究所教授樱井利夫等人首次制成了Ｃ６０薄膜。
这一研究成果是樱井教授同名古屋大学筱原久典教授等的Ｃ６０小组共同取得的。
樱井教授等已用扫描隧道显微镜观察了终端为砷的砷化镓衬底的表面结晶构造，确定了其表面构造。
这个结晶面的构造是砷的“原子对”按周期排列。这次是利用这种周期的原子的沟使Ｃ６０薄膜成长。
实际上是在砷化镓面上使Ｃ６０成长为薄膜，砷化镓面是最普通的结晶成长面。研究人员认为，由于在砷化镓面上使Ｃ６０薄膜成长了，量子细线构造的器件也将易于制作。今后有可能使砷化镓和Ｃ６０薄膜交互积层，制成器件。