参考消息标题

室温单电子半导体器件问世

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1995-01-10 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

室温单电子半导体器件问世 【日本《日经产业新闻》12月16日报道】日本电信电话公司宣布试制成利用量子效应的下一代器件——单电子半导体器件,并使之成功地'...

室温单电子半导体器件问世


【日本《日经产业新闻》12月16日报道】日本电信电话公司宣布试制成利用量子效应的下一代器件——单电子半导体器件,并使之成功地在室温下工作。
这种器件用一个电子控制电流。制作时采用超微细加工技术,提高了量子细线的加工精度。这种器件能降低耗电量和实现超大规模集成化,所以可望用于制作10亿位级容量的存储器。日本电信电话公司在这次成果的基础上将研究这种器件的集成化。
日本电信电话公司应用独自的技术在衬底上形成量子细线。这项技术称为注入氧绝缘法,即从外部把氧离子注入硅衬底,使衬底里形成二氧化硅的绝缘层。

本网除标明“PLTYW原创”的文章外,其它文章均为转载或者爬虫(PBot)抓取; 本文只代表作者个人观点,不代表本站观点,仅供大家学习参考。本网站属非谋利性质,旨在传播马克思主义和共产主义历史文献和参考资料。凡刊登的著作文献侵犯了作者、译者或版权持有人权益的,可来信联系本站删除。 本站邮箱[email protected]

相关文章