线宽小于0.1微米的半导体
日本《日刊工业新闻》1月6日报道,东芝公司已试制成0.04微米的金属氧化物半导体器件,日立制作所、富士通等也在开发0.1微米级半导体器件。
线宽小于0.1微米的半导体 日本《日刊工业新闻》1月6日报道,东芝公司已试制成0.04微米的金属氧化物半导体器件,日立制作所、富士通等也在开发0.1微米级半导体器件'...
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