美推出下一代半导体用硅片

【日本《日经产业新闻》１２月２日报道】三井物产公司从美国休斯飞机公司的子公司取得了下一代半导体用新型硅片在日本的专卖权。
休斯光学系统公司开发的新型硅片是在硅衬底上制作氧化膜作绝缘层，然后在氧化膜表面形成硅单晶层。这种结构称为“ＳＯＩ”型，已经制成实用的厚度为０．１微米的单晶层。以前的单晶硅层制作方法，只能制成厚度为０．５至１微米的单晶硅片。
休斯光学系统公司独自开发了利用称作“ＰＡＣＥ”的等离子化学研磨法，制出了厚度为０．１微米的单晶硅片。
这种硅片能满足集成电路须达到的提高处理速度、降低电压的要求。