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富士通公司应用光结晶成长技术试制成大规模集成电路

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1988-01-14 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

富士通公司应用光结晶成长技术试制成大规模集成电路日本《日经产业新闻》十二月九日报道，这项新技术的特点是，由于热和紫外线照射并用，能够在比过去低四'...

富士通公司应用光结晶成长技术试制成大规模集成电路

日本《日经产业新闻》十二月九日报道，这项新技术的特点是，由于热和紫外线照射并用，能够在比过去低四百摄氏度的温度下制作硅薄膜结晶。由于温度低，衬底不大受损伤，结晶缺陷少，能够微细加工。

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