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世界上最小的金属氧化膜半导体器件

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1993-12-10 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

世界上最小的金属氧化膜半导体器件日本《日经产业新闻》１２月３日报道，东芝公司开发的这种半导体是存储器等使用的基本元件，长度仅０．０４微米，能够用于制作１０００兆位级的'...

世界上最小的金属氧化膜半导体器件

日本《日经产业新闻》１２月３日报道，东芝公司开发的这种半导体是存储器等使用的基本元件，长度仅０．０４微米，能够用于制作１０００兆位级的大规模集成电路。

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