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超高密度存储器制作技术

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1993-05-10 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

超高密度存储器制作技术 【日本《读卖新闻》3月23日报道】新技术开发事业团一个项目的研究获得成功,确立了把计算机半导体器件原材料硅的原子从制作人员希'...

超高密度存储器制作技术


【日本《读卖新闻》3月23日报道】新技术开发事业团一个项目的研究获得成功,确立了把计算机半导体器件原材料硅的原子从制作人员希望的位置准确地抽出或置入的技术,并且阐明了机理。由理化学研究所主任研究员青野正和主持的这项研究的部分成果,已在最新一期美国《科学》杂志上发表。
这项研究证实了应用一个原子到几个原子构成的原子团制作与数字存储基本单位“0”“1”对应的凹凸。从原理上说,应用这项技术可能使存储容量比现在的半导体存储器增加大约千万倍,就是说,在直径10厘米的光磁盘上能够存储大约96万年的每天20版的报纸。
为了使原子移动,须使用前端装有尖针的扫描隧道显微镜。
这项研究阐明了使硅原子离子化,用针吸集的机理,控制显微镜上装的尖针和硅原子之间的距离、所加电压的大小和时间等,使原子能够准确地移动。
青野说,这项技术不仅可用于制作超高密度的存储器,而且其原理可用于阐明生物体分子内原子的机能。

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