超大规模集成电路光刻新技术

【日本《日经产业新闻》２月２６日报道】美国电话电报公司贝尔实验室开发了完全干式的新的刻蚀技术。这项技术和摄影一样，利用光在硅衬底上拍摄超大规模集成电路图形，不需要在衬底上涂感光树脂，也不需要显像液。因此，不必设置昂贵的超净工作间，而使半导体制造成本大幅度降低，制作时间缩短到以前的三分之一。
贝尔实验所创造的这项技术是应用低功率的高频使甲基硅烷气等离子化，堆积在硅衬底上，形成甲基硅烷膜，掩膜后用紫外线曝光，使曝光部分变化成氧化硅。然后用氯气或溴气腐蚀未曝光部分，在衬底上刻蚀线路。
刻蚀的全部工程在一个装置内完成，所以完全可能实现制造半导体器件时不设置大规模的超净工作间。