日立试制成单一电子存储器

【日本《日经产业新闻》２月１９日报道】题：“单一电子存储器”实验成功
日立制作所１８日宣布，日立制作所同它的欧洲法人日立欧洲公司所属日立剑桥研究所以及英国剑桥大学共同成功地进行了“单一电子存储器”的原理实验。
对电子一个一个的移动加以控制而记录信息的“单一电子存储器”，在原理上能够克服半导体高度集成化的技术限界，可制成１６０亿位的半导体存储器。
这次试制成的“单一电子存储器”，是在砷化镓衬底上注入硅原子，由控制电子移动的多重隧道结、存储电子的存储点和存储与读取用的外部线路组成。
这个存储器在超低温才能工作。如果使其结构进一步微细化，可制成在室温条件下工作、耗电量极低的超微细的存储器。