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芯片的器件分离新技术

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1993-02-16 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

芯片的器件分离新技术 【日本《日经产业新闻》1月19日报道】松下电器产业公司开发了下一代动态随机存取存储器的高度集成化不可少的器件分离新技术。 制'...

芯片的器件分离新技术


【日本《日经产业新闻》1月19日报道】松下电器产业公司开发了下一代动态随机存取存储器的高度集成化不可少的器件分离新技术。
制作256兆位或10亿位动态随机存取存储器,必须采用形成微细电路图形的加工技术和使在极狭窄的空间上排列的半导体器件绝缘的分离技术。松下公司应用新的分离技术,确保器件之间相隔0.3微米,器件之间的耐电压能力达5伏。研究人员为了防止硅片氧化造成体积膨胀,使用了氮化膜覆盖器件表面和侧壁部分以保护器件。

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