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富士通公司制成超导三端子半导体器件

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1992-12-03 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

富士通公司制成超导三端子半导体器件日本《日刊工业新闻》十一月六日报道，富士通公司试制成的超导三端子半导体器件的电密度为以前的这种器件的一万倍'...

富士通公司制成超导三端子半导体器件

日本《日刊工业新闻》十一月六日报道，富士通公司试制成的超导三端子半导体器件的电密度为以前的这种器件的一万倍以上。它的构造是衬底上有超导体的两个电极，衬底和超导体之间铺有ＮＤＯ薄膜作缓和层。

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