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检查硅片内部缺陷的新方法

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1992-05-10 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

检查硅片内部缺陷的新方法日本《日经产业新闻》四月二十七日报道，三井金属公司创造的新方法是用激光倾斜照射硅片表面，如果硅片内部有缺陷，反射的是散乱'...

检查硅片内部缺陷的新方法

日本《日经产业新闻》四月二十七日报道，三井金属公司创造的新方法是用激光倾斜照射硅片表面，如果硅片内部有缺陷，反射的是散乱光，由摄影机拍摄，从而实现非破坏检测。

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