日本制成耐高温电子元件

【时事社东京１９月１６日电】科学技术厅无机材料研究所宣布，它在世界上首次成功地制作出即使在温度大大超过以往温度的情况下也能工作的半导体电子元件。通过开发被称作立方晶氮化硼的大型单晶体，制成了这种半导体电子元件。据认为，可以把这种电子元件应用在宇航器和原子能方面。
这种大型单晶体，其晶体结构、硬度和导热性都同金刚石相类似，是用被称作“温差溶剂法”的特殊方法制作的。据说，以这种大型单晶体为材料开发的半导体电子元件即使在６５０摄氏度的高温下也能发挥作用。
无机材料研究所的综合研究负责人山冈信夫等人指出：“目前在大规模集成电路和集成电路中还不能利用。不过，这次的成功为开发高级的半导体元件开辟了道路。”