铟砷化镓半导体

日本《日经产业新闻》十二月九日报道，富士通公司研制成功铟砷化镓半导体元件，其特点是耗电低，速度比硅半导体快二至三倍。该公司用这种半导体制作了四分之一分频器，确认这种器件能够以三点五伏的低电压工作，是用砷化镓制作的同样的分频器所需电压的一半，而动作速度和砷化镓分频器的速度一样，为十一点九千兆赫。