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新型离子注入装置

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1991-11-29 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

新型离子注入装置日本《日经产业新闻》十一月二十日报道，美国加州的半导体制造装置厂家瓦利安公司研制成的这种装置，使用的引出离子的电压提高到七十千'...

新型离子注入装置

日本《日经产业新闻》十一月二十日报道，美国加州的半导体制造装置厂家瓦利安公司研制成的这种装置，使用的引出离子的电压提高到七十千伏，离子注入硅片表面的深度为二微米（提高近十倍）。

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