五层结构三维线路器件

【日本《日刊工业新闻》１０月２４日报道】三洋电机公司超大规模集成电路研究所开发了使单晶硅以阶梯状积层的横方向固相成长技术，并应用这项技术初步制成五层构造的三维线路器件。
三维线路器件的目的是把平面型半导体积层，以提高芯片的器件密度。三洋电机公司的方法是加热到６００摄氏度，使单晶的种晶在绝缘膜上以横方向蔓延成长，最终在衬底全面形成单晶。同样的工序重复五次，即可制成五层构造的三维线路器件。该所使用的硅衬底直径４英寸，在绝缘膜上以２８微米的间隔描线路图形，约２０小时即可在衬底上形成新的单晶硅。二三十块硅衬底一起放入加热炉里进行处理，可达到超过激光法等方法的生产效率。