以钨代铝芯片制造技术重大突破

【法新社东京８月２７日电】日本的日立公司宣布，它在用钨代替铝制造新一代超大规模集成电路技术方面取得重大突破。这一工艺适用于制造２５６兆位的动态随机存储器芯片和其他电路厚度为０．２微米的大功率器件。
日立公司说，新工艺与光学印刷一样，是制造新一代集成电路时进行深度亚微米金属喷镀的关键技术。传统的４兆位动态随机存储器的厚度为０．８微米。由于钨的熔点为３３８０摄氏度，它在极薄的电路中的可靠性要优于铝。铝的熔点仅为３００摄氏度。日立公司的新工艺克服了以往使用钨时遇到的问题。这种工艺使用二氟硅烷气体代替氢气避免了钨平滑性不好和芯片接口底部出现硅侵蚀的情况。日立公司说它已经开始用钨代替铝制造Ｂ１６兆位的动态随机存储器。