参考消息标题

铊系超导体的临界电流密度达到四万三千安培

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1991-07-31 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

铊系超导体的临界电流密度达到四万三千安培日本《日经产业新闻》七月二十四日报道，日立研究所合成的铊锶钙铜的氧化物的临界电流密度每平方厘米提高到'...

铊系超导体的临界电流密度达到四万三千安培

日本《日经产业新闻》七月二十四日报道，日立研究所合成的铊锶钙铜的氧化物的临界电流密度每平方厘米提高到四万三千安培。

参考消息参考消息1957-2002在线全文文字检索参考消息在线全文文字检索

本网除标明“PLTYW原创”的文章外，其它文章均为转载或者爬虫(PBot)抓取；本文只代表作者个人观点，不代表本站观点，仅供大家学习参考。本网站属非谋利性质，旨在传播马克思主义和共产主义历史文献和参考资料。凡刊登的著作文献侵犯了作者、译者或版权持有人权益的，可来信联系本站删除。本站邮箱[email protected]