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临界电流达三十八万安培的铋系超导薄膜

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1991-04-10 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

临界电流达三十八万安培的铋系超导薄膜 日本《日刊工业新闻》三月二十六日报道,工业技术院电子技术综合研究所宣布,该所用「有机金属化学气相生长法」制'...

临界电流达三十八万安培的铋系超导薄膜


日本《日刊工业新闻》三月二十六日报道,工业技术院电子技术综合研究所宣布,该所用「有机金属化学气相生长法」制成铋系超导薄膜。这种薄膜的超导转移温度为九十五K,在八特斯拉的强磁场中达到九点一万安培。

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