松下公司发明低温下研制超导薄膜新技术

【共同社东京８月２４日电】松下电器中央研究所２４日在京都召开的第１８次低温物理学国际会议上宣布，已成功地发明在低温下形成超导陶瓷薄膜的新技术。
超导陶瓷薄膜的历来制法是，在衬底上蚀刻钇钡铜分子，然后在摄氏１０００度左右进行数小时热处理，从而形成超导陶瓷薄膜。
用这种方法制造混合元件，半导体的衬底和配线容易溶化在一起。
该研究所的新技术无须进行１０００度的热处理，因此这项发明成果引人注目。
新制法是，预先将钛合金和氧化镁的衬底在氩气中加热到摄氏６５０度，然后使用称为“高波段磁控管喷溅”的方法在上面蚀刻钇钡铜分子。已证实，用新方法制造的厚１微米的薄膜，在摄氏零下１８７度时形成超导，和用历来的方法制造的薄膜具有同样的性能。
该研究所材料科学研究室室长和佐清孝说：“它为进而应用于电子元件开辟了前景。”