日本制成铌系陶瓷超导薄膜

【共同社东京８月２４日电】鹿儿岛大学工学部的大串哲弥教授领导的研究小组，２４日在京都召开的第１８次低温物理学国际会议上宣布，该小组制成了在零下摄氏１８度电阻为零的超导陶瓷薄膜。这在世界上乃是首次。
这个薄膜是把由镧、锶和铜的氧化物组成的超导陶瓷的铜置换成铌。镧锶铜组成的超导陶瓷一般不加热电路印刷板，而采用“电子磁控管喷溅法”蚀刻。
大串教授等人把电路板的铌加热３０分钟，让它超过铜的熔点达到１２００度。这样，电路板的铌原子就钻进了本来铜原子在晶体中所占的位置。大串教授说：“薄膜的晶体结构，连接电路板的部分和表面似乎不同，但总的说是不太清楚的。今后打算制造更加稳定的物质。”
另一方面，东京大学工学部的北泽宏一教授说：“即使得出在高温下形成超导的数据，但是也需要经过严格的测试和第三者的确认等手续。包括铜和铌是否真的可置换在内，确定晶体结构是先决条件，眼下恐怕还不能说是纯的超导物质。”