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铊系超导体的临界温度由氧含量左右

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1989-08-29 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

铊系超导体的临界温度由氧含量左右 【日本《日刊工业新闻》7月21日报道】日本电气公司查明铊系氧化物成为超导体的温度(临界温度)仅仅由氧多些或少些而定。'...

铊系超导体的临界温度由氧含量左右


【日本《日刊工业新闻》7月21日报道】日本电气公司查明铊系氧化物成为超导体的温度(临界温度)仅仅由氧多些或少些而定。至今发现的超导体中,铊系超导体的临界温度最高,它有结晶构造不变,但临界温度有大幅度变动这个未解之谜。日本电气公司应用精密的重量测定法,解开了这个谜,查明了决定临界温度的重要因素。这个成果将于26日在美国斯坦福大学举行的“关于高温超导体的国际会议”上发表。
日本电气公司使用铊钡铜氧化物从事解开临界温度变动之谜的研究。
首先,在氧气中把这种物质做热处理,尽量注入氧,这种物质就成为金属非超导体。然后把氧一点一点地抽出,这时,与减少的氧的含量成比例,超导临界温度上升。反过来,对这种物质供给氧时,临界温度就以同样的曲线下降,这种物质恢复到原来的金属性质。结果查明铊系超导体的临界温度变动是含氧多些或少些引起的。

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