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量子效应集成电路制造技术取得突破

字号+作者:参考消息 来源:参考消息 1994-11-07 08:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

量子效应集成电路制造技术取得突破 【英国《金融时报》10月26日报道】题:科学家预言微处理器将问世 科学家们昨天宣布了在电子器件微型化领域里取得一项突'...

量子效应集成电路制造技术取得突破


【英国《金融时报》10月26日报道】题:科学家预言微处理器将问世
科学家们昨天宣布了在电子器件微型化领域里取得一项突破。这项突破可导致计算机存储器和微处理器的速度比现今的硅芯片要快500倍,而体积只有原来的五百分之一。
东芝剑桥研究中心和剑桥大学的科学家已开发出世界上第一个制造“量子效应集成电路”的方法。
研究中心负责管理的主任迈克尔·佩珀教授说,这一成就可与1958年发现用硅生产集成电路来代替把单个晶体管连接在一起的技术相媲美。1958年的技术突破导致了从70年代初开始的、现在仍不断前进的信息技术革命。许多电子实验室都已制造出这类微小器件,包括只有人头发丝十万分之一粗细的“量子导线”。但是它们的生产时间长,成本高。
这些微小器件的大小不超过10个原子排列的宽度。它们非常小,根据量子原理的奇特的推断,器件中的电子表现出波粒二像性,这使得电路的转换要比在普通芯片中快得多。
还需克服的主要技术障碍是这些量子装置只能在冷冻的液氦中、温度接近绝对零度的条件下运转。
基于此技术生产的芯片可能会在大约10年后投放市场。

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