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使硅晶成长速度增加五十倍的方法

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1990年10月21日08:00:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

使硅晶成长速度增加五十倍的方法《日本工业新闻》九月二十六日报道，日本电气公司等开发的「超高真空化学汽相淀积法」在六百五十摄氏度使硅晶和硅锗结'...

使硅晶成长速度增加五十倍的方法

《日本工业新闻》九月二十六日报道，日本电气公司等开发的「超高真空化学汽相淀积法」在六百五十摄氏度使硅晶和硅锗结晶的成长速度增加五十倍。

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