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提高半导体装置工作特性的新工艺

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1989年03月07日08:00:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

提高半导体装置工作特性的新工艺【塔斯社莫斯科２月１５日电】苏联科学院化学物理研究所科学家提出的一项生产新工艺能使各种半导体装置——晶体管、集成电'...

提高半导体装置工作特性的新工艺

【塔斯社莫斯科２月１５日电】苏联科学院化学物理研究所科学家提出的一项生产新工艺能使各种半导体装置——晶体管、集成电路等的工作特性提高０．５至２．５倍。迄今世界上生产的集成电路多涂二氧化硅保护层。但这种保护层不理想：碱离子能穿透它，造成小裂缝。
该所科研人员瓦·斯佩克托尔说：“我们提出往集成电路上涂一层以厚约０．５微米的硅酮为主要材料的聚合薄膜充当绝缘保护层，以代替二氧化硅。硅酮薄膜的工作特性优于二氧化硅，涂敷工艺简单得多。”
斯佩克托尔说，除去覆盖硅酮保护层的集成电路各种参数得到改进外，它们的质量提高２０—３０％，废品量大大减少。

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