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大规模集成电路的低温刻蚀技术

字号+作者：参考消息来源：参考消息 1988年08月25日08:00:00 评论(创建话题) 收藏成功收藏本文

大规模集成电路的低温刻蚀技术日本《日刊工业新闻》八月九日报道，日立制作所开发的这项技术是把硅片温度冷却到负一百几十摄氏度，使用与过去一样的反应'...

大规模集成电路的低温刻蚀技术

日本《日刊工业新闻》八月九日报道，日立制作所开发的这项技术是把硅片温度冷却到负一百几十摄氏度，使用与过去一样的反应性气体加工（刻蚀）。优点是使处理速度、选择性和各向异性同时提高。

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